2024年全球砷化镓（GaAs）晶圆市场规模将达到$8.6317亿，2024年至2029年的复合年增长率为10.23%。
定义
砷化镓（GaAs）是元素镓和砷的化合物。它是一种具有锌混合晶体结构的III-V族直接带隙半导体。砷化镓用于制造微波频率集成电路、单片微波集成电路、红外发光二极管、激光二极管、太阳能电池和光学窗口等器件。
按类型划分的市场
砷化镓晶片有两种不同的制造方法，LEC 技术用于生长材料单晶，尤其是砷化镓等半导体。晶体从熔体中提取，熔体装在合适的坩埚中，并被液体包裹以防止污染。VGF 工艺涉及仔细控制炉内的温度，使熔体逐渐凝固，从而形成单晶。这种方法的优点是生产的晶体通常质量高，缺陷密度低。
按应用划分的市场
砷化镓 (GaAs) 晶片是制造各种电子设备的关键部件，可用于 RF、LED、光子学和光伏。砷化镓是一种具有直接带隙的 III-V 化合物半导体，可以高效发射和吸收红外和可见光谱中的光，因此具有独特的电气和光学特性，可用于各种设备，例如红外发射二极管、激光二极管和微波频率集成电路。它也用于生产光伏电池。砷化镓晶片具有超越硅的高电子迁移率，使其适用于微波设备、高速晶体管和集成电路 (IC) 等高速应用。
区域分析和见解
亚太地区在砷化镓 (GaAs) 晶圆市场占据主导地位，占据了约 75.4% 的巨大收入份额。其次是北美和欧洲，份额分别为 13.5% 和 10%。
地区 | 2024 年收入份额 |
北美 | 13.5% |
欧洲 | 10% |
亚太地区 | 75.4% |
南美洲 | 0.3% |
中东和非洲 | 0.8% |
全部的 | 100% |
市场机会
《砷化镓晶圆产品在半导体行业的优势》
砷化镓晶圆属于半导体材料行业，是半导体产业链上游的重要一环，在集成电路、分立器件等半导体产品的生产制造中起着关键作用。砷化镓晶圆主要用作衬底；衬底是半导体材料领域最核心的材料。砷化镓作为半导体材料具有优异的性能。砷化镓衬底用于制造半导体器件，具有功率密度高、能耗低、耐高温、发光效率高、耐辐射、击穿电压高等特点，因此砷化镓衬底被广泛应用于LED、射频器件、激光器等器件产品的生产。因此，砷化镓晶圆产业链下游应用主要涉及5G通讯、新一代显示（Mini LED、Micro LED）、无人驾驶、人工智能、可穿戴设备等领域。得益于下游应用需求的持续旺盛，砷化镓衬底市场规模将不断扩大。
“下游行业市场需求增长”
砷化镓晶片是当今主流的化合物半导体材料之一，最初应用于LED和太阳能电池。随着移动设备的普及，砷化镓衬底开始用于移动设备的射频器件生产。砷化镓晶片具有高电子迁移率和高饱和电子速率的显著优势，因此砷化镓一直是制造射频功率放大器的主流衬底材料之一。进入5G时代后，5G通信对功率、频率、传输速度提出了更高的要求，而采用砷化镓衬底制成的射频器件非常适合应用于远距离、长通信时间的高频电路中。因此，砷化镓在5G时代的射频器件中的材料优势更加显著。此外，随着智能手机和LED的普及，砷化镓衬底已进入大规模应用阶段，例如2017年iPhone X首次引入VCSEL用于人脸识别。 VCSEL的生产需要使用砷化镓衬底，砷化镓衬底的应用场景再度扩大。2021年随着苹果、三星、LG、TCL等厂商加入Mini LED市场，砷化镓衬底的市场需求将迎来爆发式增长。
顶级公司
砷化镓（GaAs）晶圆市场竞争激烈，主要参与者包括住友电气工业、Freiberger Compound Materials GmbH、AXT Inc.、中国晶体科技、DOWA Electronics Materials、Wafer Technology、Atecom Technology Co. Ltd.、Powerway Advanced Materials 和云南锗业。
