Der weltweite Markt für Galliumarsenid (GaAs)-Wafer wird im Jahr 2024 ein Volumen von $863,17 Millionen erreichen und von 2024 bis 2029 einen CAGR von 10,23% erreichen.
Definition
Galliumarsenid (GaAs) ist eine Verbindung aus Gallium und Arsen. Es ist ein III-V-Halbleiter mit direkter Bandlücke und einer Zink-Mischkristallstruktur. Galliumarsenid wird bei der Herstellung von Geräten wie integrierten Mikrowellenfrequenzschaltkreisen, monolithischen integrierten Mikrowellenschaltkreisen, Infrarot-Leuchtdioden, Laserdioden, Solarzellen und optischen Fenstern verwendet.
Markt nach Typ
Galliumarsenid-Wafer werden auf zwei verschiedene Arten hergestellt, und die LEC-Technologie wird verwendet, um Einkristalle von Materialien, insbesondere Halbleitern wie Galliumarsenid, zu züchten. Die Kristalle werden aus der Schmelze gewonnen, die in einem geeigneten Tiegel enthalten und durch die Einkapselung in der Flüssigkeit vor Verunreinigungen geschützt ist. Beim VGF-Verfahren wird die Temperatur im Ofen sorgfältig kontrolliert, um die Schmelze allmählich zu verfestigen, wodurch Einkristalle entstehen. Der Vorteil dieser Methode besteht darin, dass die erzeugten Kristalle normalerweise von hoher Qualität sind und eine geringe Defektdichte aufweisen.
Markt nach Anwendung
Galliumarsenid-Wafer (GaAs) sind eine Schlüsselkomponente bei der Herstellung verschiedener elektronischer Geräte und können in HF, LED, Photonik und Photovoltaik verwendet werden. Galliumarsenid ist ein III-V-Verbindungshalbleiter mit direkter Bandlücke, der Licht im Infrarot- und sichtbaren Spektrum effizient emittieren und absorbieren kann. Daher verfügt es über einzigartige elektrische und optische Eigenschaften, die in einer Vielzahl von Geräten wie Infrarot-Emissionsdioden, Laserdioden und integrierten Mikrowellenfrequenzschaltkreisen verwendet werden können. Es wird auch zur Herstellung von Photovoltaikzellen verwendet. Galliumarsenid-Wafer haben eine hohe Elektronenmobilität, die die von Silizium übertrifft, wodurch sie für Hochgeschwindigkeitsanwendungen wie Mikrowellengeräte, Hochgeschwindigkeitstransistoren und integrierte Schaltkreise (IC) geeignet sind.
Regionale Analysen und Erkenntnisse
Der asiatisch-pazifische Raum dominiert den Markt für Galliumarsenid-Wafer (GaAs) und hat einen riesigen Umsatzanteil von etwa 75,41 TP3T. Es folgen Nordamerika und Europa mit Anteilen von 13,51 TP3T bzw. 101 TP3T.
Region | Umsatzanteil im Jahr 2024 |
Nordamerika | 13.5% |
Europa | 10% |
Asien-Pazifik | 75.4% |
Südamerika | 0.3% |
Naher Osten und Afrika | 0.8% |
Gesamt | 100% |
Marktchancen
„Vorteile von Galliumarsenid-Waferprodukten in der Halbleiterindustrie“
Galliumarsenid-Wafer gehören zur Halbleitermaterialindustrie, sind ein wichtiger Teil der vorgelagerten Halbleiterindustriekette und spielen eine Schlüsselrolle bei der Produktion und Herstellung von Halbleiterprodukten wie integrierten Schaltkreisen und diskreten Geräten. Galliumarsenid-Wafer werden hauptsächlich als Substrat verwendet; Substrate sind das wichtigste Material im Bereich der Halbleitermaterialien. Galliumarsenid hat als Halbleitermaterial hervorragende Eigenschaften. Galliumarsenidsubstrate werden zur Herstellung von Halbleitergeräten verwendet und weisen eine hohe Leistungsdichte, einen geringen Energieverbrauch, eine hohe Temperaturbeständigkeit, eine hohe Lichtausbeute, Strahlungsbeständigkeit, eine hohe Durchschlagsspannung und andere Eigenschaften auf. Daher werden Galliumarsenidsubstrate häufig bei der Herstellung von LEDs, HF-Geräten, Lasern und anderen Geräteprodukten verwendet. Daher umfassen die nachgelagerten Anwendungen der Galliumarsenid-Wafer-Industriekette hauptsächlich 5G-Kommunikation, eine neue Generation von Displays (Mini-LED, Mikro-LED), unbemanntes Fahren, künstliche Intelligenz, tragbare Geräte und andere Bereiche. Dank der anhaltend starken Nachfrage nach nachgelagerten Anwendungen wird die Marktgröße von Galliumarsenidsubstraten weiter wachsen.
„Das Wachstum der Marktnachfrage in nachgelagerten Industrien“
Galliumarsenid-Wafer sind heute eines der gängigen Verbindungshalbleitermaterialien und wurden ursprünglich in LEDs und Solarzellen verwendet. Mit der Popularität mobiler Geräte begann man, Galliumarsenid-Substrate bei der Herstellung von HF-Geräten für mobile Geräte zu verwenden. Galliumarsenid-Wafer haben erhebliche Vorteile hinsichtlich hoher Elektronenbeweglichkeit und hoher gesättigter Elektronenrate, sodass Galliumarsenid zu einem der gängigen Substratmaterialien für die Herstellung von HF-Leistungsverstärkern geworden ist. Mit dem Eintritt in das 5G-Zeitalter hat die 5G-Kommunikation höhere Anforderungen an Leistung, Frequenz und Übertragungsgeschwindigkeit gestellt, und HF-Geräte aus Galliumarsenid-Substraten eignen sich sehr gut für den Einsatz in Hochfrequenzschaltungen mit großer Entfernung und langer Kommunikationszeit. Daher sind die Materialvorteile von Galliumarsenid in HF-Geräten im 5G-Zeitalter bedeutender. Darüber hinaus hat Galliumarsenid-Substrat mit der Popularität von Smartphones und LEDs das Stadium der großflächigen Anwendung erreicht. Beispielsweise wurde 2017 mit dem iPhone X erstmals VCSEL zur Gesichtserkennung eingeführt. Die Herstellung von VCSEL erfordert die Verwendung von Galliumarsenidsubstraten, und das Anwendungsszenario für Galliumarsenidsubstrate wurde erneut erweitert. Im Jahr 2021 wird die Marktnachfrage nach Galliumarsenidsubstraten mit dem Eintritt von Apple, Samsung, LG, TCL und anderen Herstellern in den Mini-LED-Markt ein explosives Wachstum einleiten.
Top-Unternehmen
Der Markt für Galliumarsenid-(GaAs)-Wafer ist hart umkämpft und zu den wichtigsten Akteuren zählen Sumitomo Electric Industries, Freiberger Compound Materials GmbH, AXT Inc., China Crystal Technologies, DOWA Electronics Materials, Wafer Technology, Atecom Technology Co. Ltd., Powerway Advanced Materials und Yunnan Germanium.
